Ddr2 частота памяти частота шины

Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Совсем недавно мы рассмотрели двухканальный комплект модулей памяти Kingston high-end серии HyperX, рассчитанный на функционирование в нестандартном режиме «DDR2-900», сегодня же будет рассмотрено похожее предложение, но укладывающееся в рамки стандарта JEDEC — двухканальный комплект модулей памяти Kingston HyperX DDR2-800 высокой емкости (суммарный объем 2 ГБ), обладающих, как утверждает производитель, низкими задержками.Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Kingston Technology
Производитель микросхем модуля: Elpida Memory, Inc.
Сайт производителя модуля:
www.kingston.com/hyperx/products/khx_ddr2.asp
Сайт производителя микросхем модуля:
www.elpida.com/en/products/ddr2.htmlВнешний вид модуля

Фото модуля памяти

Ddr2 частота памяти частота шины

Ddr2 частота памяти частота шины

Фото микросхемы памяти

Ddr2 частота памяти частота шины

Расшифровка Part Number модуля

Видео:Помощь по выбору оперативной памяти на сокет 775, объём, частота, DDR2 или DDR3 (i3 6100 vs E5450)Скачать

Помощь по выбору оперативной памяти на сокет 775, объём, частота, DDR2 или DDR3 (i3 6100 vs E5450)

Ddr2 частота памяти частота шины

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. В краткой технической документации модулей с Part Number KHX6400D2LLK2/2G указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (Low Latency, отсюда сокращение «LL») объемом 1 ГБ каждый, имеющих конфигурацию 128M x 64 и основанных на 16 микросхемах с конфигурацией 64M x8. Производитель гарантирует 100% стабильную работу модулей в штатном режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и питающем напряжении 2.0 В, но в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию прописан режим DDR2-800 со стандартными таймингами 5-5-5-15 и напряжением питания 1.8 В.

Расшифровка Part Number микросхемы

Как и в ранее исследованных Kingston HyperX DDR2-900, в настоящих модулях памяти использованы микросхемы с оригинальной маркировкой их реального производителя (Elpida), что позволяет нам изучить их характеристики в том числе, воспользовавшись описанием технических характеристик (data sheet) 512-Мбит чипов памяти DDR2 Elpida, применяемых в данных модулях.

ПолеЗначениеРасшифровка
0—Производитель (отсутствует, «E» = Elpida Memory)
1—Тип (отсутствует, «D» = монолитное устройство)
2EКод продукта: «E» = DDR2
351Емкость/количество логических банков: «51» = 512М/4 банка
408Ширина внутренней шины данных: «08» = x8
5AПротокол питания: «A» = SSTL 1.8V
6GРевизия кристалла: «G»
7—Код упаковки (отсутствует, «SE» = FBGA)
86EСкорость компонента: «6E» = DDR2-667 (5-5-5)
9EКод охраны окружающей среды: «E» = без использования свинца

В маркировке рассматриваемых микросхем Elpida, как обычно, отсутствуют поля, характеризующие производителя (Elpida Memory) и тип устройства (монолитное), а также код упаковки устройства (FBGA). Как видно из приведенных в таблице характеристик, микросхемы модуля имеют конфигурацию 64M x8 (полная емкость — 512 Мбит) и рассчитаны на функционирование в «медленном» режиме DDR2-667 (при таймингах 5-5-5), соответствующем первой ревизии стандарта DDR2-667. Заметим, что такие же микросхемы (но другого производителя) применяются в еще более высокоскоростных модулях Kingston HyperX DDR2-900, рассмотренных нами ранее. По-видимому, в обоих случаях можно говорить о тщательном отборе производителем модулей микросхем DDR2-667, обладающих наилучшими показателями скорости и надежности функционирования, вместо использования реальных микросхем скоростной категории DDR2-800.Данные микросхемы SPD модуля

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Eh14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти561h2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)925h2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)2732h12.5 нс
5.0, CL = 5
3.3, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
3.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)2932h12.5 нс
5.0, CL = 5
3.3, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3027h39.0 нс
15.6, CL = 5
10.4, CL = 4
7.8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
6, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
3.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
3.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4033h, 30h51.5 нс
20.6, CL = 5
13.7, CL = 4
10.3, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 4069h, 30h105.0 нс
42, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-626331h49 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-717Fh, 98hKingston
Part Number модуля73-9000h. 00hНе определено
Дата изготовления модуля93-9406h, 0Fh2006 год, 15 неделя
Серийный номер модуля95-985Ah, 15h,
8Eh, 29h
298E155Ah

Читайте также: Направляющая шина для лобзика метабо

Содержимое SPD выглядит несколько нестандартно, по всей видимости — ввиду нацеленности на использование уменьшенных задержек. Поддерживаются три различных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс) со схемой таймингов 5-5-5-15.6 (с округлением — 5-5-5-16), что примерно совпадает со значениями, заявленными производителем в документации модулей (5-5-5-15 при DDR2-800). Второму значению tCL (CL X-1 = 4) соответствует, как ни странно, режим не DDR2-667, но DDR2-533 (время цикла 3.75 нс). Схема таймингов для этого случая не представляется целыми значениями и может быть записана как 4-3.3-3.3.-10.4, что при округлении превратится в схему 4-4-4-11. Наконец, третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, вновь с нецелой схемой таймингов 3-2.5-2.5-7.8, превращающейся при округлении в 3-3-3-8. Из особенностей данных SPD можно отметить сравнительно большое, но достаточно часто встречающееся в высокоскоростных модулях минимальное время цикла регенерации tRFC = 105.0 нс. Номер ревизии SPD, идентификационный код производителя, дата изготовления и серийный номер модуля указаны верно, но в то же время, информация о Part Number модуля отсутствует.Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0404 от 03/22/2006
  • Память: 2×1024 МБ Kingston HyperX DDR2-800 Low Latency

Тесты производительности

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование осуществлялось в двух скоростных режимах — DDR2-667 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 1.67 и 1.25, соответственно) и DDR2-800 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 2.0 и 1.5, соответственно). Напомним, что, начиная с нашего предыдущего исследования, в тестах модулей памяти используется новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в которой по умолчанию выбран больший размер тестируемого блока памяти (32 МБ), что позволяет в большей степени устранить влияние сравнительно большого 2-МБ L2-кэша процессора Pentium 4 Extreme Edition.

Видео:Разгон памяти DDR2Скачать

Разгон памяти DDR2

Читайте также: Вариант с шинами огэ математика с решениями

В режиме DDR2-667 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-13 («наугад», т.к. соответствующие данные отсутствуют в SPD), тогда как в режиме DDR2-800 по умолчанию выставляется схема 5-5-5-16, соответствующая рассмотренным выше данным SPD.

Параметр / РежимDDR2-667DDR2-800
Частота FSB, МГц200266200266
Тайминги5-5-5-135-5-5-135-5-5-165-5-5-16
Средняя ПСП на чтение, МБ/с5387640656176875
Средняя ПСП на запись, МБ/с2056225223212465
Макс. ПСП на чтение, МБ/с6491823265288541
Макс. ПСП на запись, МБ/с4282566042795679
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс56.650.052.545.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс66.257.361.753.0
Минимальная латентность случайного доступа * , нс118.8105.3106.095.4
Максимальная латентность случайного доступа * , нс143.8123.9130.2115.5
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
87.078.280.370.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
113.796.5107.390.1
Минимальная латентность случайного доступа * , нс
(без аппаратной предвыборки)
119.6105.5106.295.9
Максимальная латентность случайного доступа * , нс
(без аппаратной предвыборки)
145.5125.0133.7116.6

Скоростные показатели модулей достаточно высоки — максимальная реальная ПСП составляет примерно 6.4-6.5 ГБ/с при 200-МГц FSB и 8.2-8.6ГБ/с при 266-МГц FSB, т.е. практически достигает теоретического максимума ПС процессорной шины (и даже несколько превосходит его, т.к. некоторое влияние L2-кэша процессора все же присутствует). Задержки при доступе в память, как обычно, уменьшаются при переходе как к более скоростным режимам (от DDR2-667 к DDR2-800), так и к более высокой частоте системной шины (от 200-МГц к 266-МГц FSB). Минимальная латентность памяти в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц находится в интервале от 45.5 нс (псевдослучайный обход, аппаратная предвыборка включена) до 116.6 нс (случайный обход, аппаратная предвыборка отключена), что несколько уступает значениям, полученным ранее на более «топовых» модулях Kingston HyperX DDR2-900.

Читайте также: J1850 шина bus line sae

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр / РежимDDR2-667DDR2-800
Частота FSB, МГц200266200266
Тайминги3-4-4
(2.0 V)
3-4-4
(2.0 V)
4-5-4-12
(2.0 V)
4-5-4-12
(2.0 V)
Средняя ПСП на чтение, МБ/с5537679856526990
Средняя ПСП на запись, МБ/с2260246523582613
Макс. ПСП на чтение, МБ/с6501833165158632
Макс. ПСП на запись, МБ/с4282566442815675
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс53.146.149.344.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс62.553.359.051.8
Минимальная латентность случайного доступа * , нс109.695.4105.592.7
Максимальная латентность случайного доступа * , нс133.9114.9129.7112.7
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
81.970.975.268.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
107.993.2102.088.4
Минимальная латентность случайного доступа * , нс
(без аппаратной предвыборки)
110.495.9105.893.1
Максимальная латентность случайного доступа * , нс
(без аппаратной предвыборки)
136.6116.7132.6113.6

Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-667 при использовании рекомендованного производителем повышенного питающего напряжения 2.0 В, как ни странно, выглядят весьма скромно — 3-4-4 (изменение параметра tRAS в данном случае игнорируется). Напомним, что с модулями Kingston HyperX DDR2-900 в указанных условиях нам удалось достичь гораздо более «экстремальную» схему 3-3-2. Еще хуже обстоят дела в режиме DDR2-800 — минимальной возможной (устойчивой) оказалась лишь схема 4-5-4-12, что даже выше по сравнению с «официально» заявленной производителем схемой 4-4-4-12. Что интересно, параметр tRAS в данном случае вносит решающий вклад в устойчивость функционирования подсистемы памяти — его уменьшение приводило к немедленному «зависанию» системы.

Как обычно, выставление «экстремальных» схем таймингов лишь незначительно увеличивает пропускную способность подсистемы памяти и отчетливо проявляет себя лишь в величинах латентностей истинно случайного доступа к памяти. Максимальный эффект снижения задержек достигается в режиме DDR2-667 и составляет порядка 9 нс, т.е. примерно 8%.Итоги

Исследованные модули Kingston HyperX DDR2-800 (PC2-6400) высокой емкости с «низкими задержками» способны функционировать в скоростных режимах DDR2-667 и DDR2-800 при номинальных условиях (т.е. стандартных схемах таймингов, вроде 5-5-5-15 для режима DDR2-800) и характеризуются высокой производительностью в указанных режимах. В то же время, «разгонный потенциал» модулей по таймингам явно оставляет желать лучшего, что с трудом позволяет говорить о них как о модулях класса «Low Latency». Минимально возможная схема таймингов в режиме DDR2-667, не приводящая к потере устойчивости функционирования подсистемы памяти, составляет всего 3-4-4 (при рекомендованном питающем напряжении 2.0 В), а в режиме DDR2-800 — 4-5-4-12, что «не дотягивает» даже до значений 4-4-4-12, официально заявленных производителем в документации. По крайней мере, на используемой в тестах материнской плате (ASUS P5WD2-E), надежно зарекомендовавшей себя для тестирования высокоскоростных модулей памяти DDR2.

Видео:Как настроить оперативную память если настройки авто кривыеСкачать

Как настроить оперативную память если настройки авто кривые
  • Свежие записи
    • Нужно ли менять пружины при замене амортизаторов
    • Скрипят амортизаторы на машине что делать
    • Из чего состоит стойка амортизатора передняя
    • Чем стянуть пружину амортизатора без стяжек
    • Для чего нужны амортизаторы в автомобиле


    📽️ Видео

    Разгон оперативной памяти DDR3 через биосСкачать

    Разгон оперативной памяти DDR3 через биос

    Разные планки оперативной памяти. Можно ли совмещать в одном ПК?Скачать

    Разные планки оперативной памяти. Можно ли совмещать в одном ПК?

    Влияние частоты оперативной памяти на производительность в играх (часть 1)Скачать

    Влияние частоты оперативной памяти на производительность в играх (часть 1)

    Частота процессора или частота системной шины?Скачать

    Частота процессора или частота системной шины?

    Как разогнать процессор и память? Гоним по шине и множителю.Скачать

    Как разогнать процессор и память? Гоним по шине и множителю.

    Как узнать сколько памяти поддерживает материнкаСкачать

    Как узнать сколько памяти поддерживает материнка

    ВЫБРАТЬ ОПЕРАТИВНУЮ ПАМЯТЬ? 7 вещей, которые НУЖНО ЗНАТЬ в 2017 + СКОЛЬКО + ЧАСТОТА + ТАЙМИНГИСкачать

    ВЫБРАТЬ ОПЕРАТИВНУЮ ПАМЯТЬ? 7 вещей, которые НУЖНО ЗНАТЬ в 2017 + СКОЛЬКО + ЧАСТОТА + ТАЙМИНГИ

    Какая частота памяти нужна играм... или тайминги?Скачать

    Какая частота памяти нужна играм... или тайминги?

    РАЗГОН ПРОЦЕССОРА И ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ [ intel E7400 | ОЗУ ddr2]Скачать

    РАЗГОН ПРОЦЕССОРА И ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ [ intel E7400 | ОЗУ ddr2]

    Как разогнать оперативную память DDR2Скачать

    Как разогнать оперативную память DDR2

    Максимальный разгон DDR-2 800 vs 1066 Мгц и выше, зачем?Скачать

    Максимальный разгон DDR-2 800 vs 1066 Мгц и выше, зачем?

    Как разогнать оперативную память | Разгон оперативной памятиСкачать

    Как разогнать оперативную память | Разгон оперативной памяти

    Как разогнать оперативную память?Скачать

    Как разогнать оперативную память?

    DDR2-800 Память из Китая .Проверка тесты разгонСкачать

    DDR2-800  Память из Китая .Проверка тесты разгон

    Как узнать частоту оперативной памятиСкачать

    Как узнать частоту оперативной памяти

    ddr2 800 ddr2 1066Скачать

    ddr2 800 ddr2 1066

    Как узнать частоту оперативной памяти компьютера или ноутбукаСкачать

    Как узнать частоту оперативной памяти компьютера или ноутбука
Поделиться или сохранить к себе:
Технарь знаток